Transistor de silício A6
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O transistor de silício NPN é o tipo de potência de vidro passivado de alta velocidade e alta tensão e é embalado em uma caixa.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 1000 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 450 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 9 | V |
| Corrente de coletor | IC | 8.0 | A |
| Corrente base | IB | 4.0 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 125 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICBO | VCE=1000V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=100mA, IB=0 | 450 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=5V, IC=10mA | 10 | - | 35 | - |
| hFE(2) | VCE=5V, IC=1.0A | 10 | - | 35 | - | |
| | VCE(sat) | IC=6.0A, IB=1.2A | - | - | 1.5 | V |
| Tensão de saturação de emissor base | VBE(sat) | IC=6.0A, IB=1.2A | - | - | 1.5 | V |
| Corrente de ganho do produto de banda larga | fT | VCE=10V, IC=0.5A, | 10 | - | - | MHz |
| Capacidade de saída | Cob | VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz | - | 21 | - | pF |
| Tempo de desligamento | tS | IB1=-IB2=1.6A, Tp=25μs | - | 1.9 | 2.5 | μs |
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Transistor de acionamento | Semicondutor de alta velocidade | Componente de potência de comutação
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