Transistor de potência de silício complementar A7
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O transistor de potência de silício complementar é designado para aplicações de comutação e amplificadores de potência.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 90 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 80 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 5 | V |
| Corrente de coletor | IC | 4.0 | A |
| Corrente base | IB | 1.0 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 30 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo. | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCB=60V, IE=0 | - | - | 0.1 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | - | - | 0.1 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=30mA, IB=0 | 80 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=1.0V, IC=0.2A | 100 | - | 220 | - |
| hFE(2) | VCE=1.0V, IC=2.0A | 20 | - | 75 | - | |
| hFE(3) | VCE=5.0V, IC=1.0A | 80 | - | 200 | - | |
| Tensão de saturação de emissor -coletor | VCE(sat) | IC=1.0A, IB=50mA | - | - | 0.5 | V |
| Emissor base em tensão | VBE(on) | IC=1.0A, IB=100mA | - | - | 1.3 | V |
| Ganho de corrente do produto de banda larga | fT | VCE=4.0V, IC=20mA | 50 | - | - | MHz |
Nomes relacionados
Amplificador MOSFET | Transistor de baixa potência | Transistor epitaxial
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