Transistor Darlington de potência de silício complementar A9
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O transistor Darlington de potência de silício complementar é designado para amplificadores e outras aplicações de finalidade geral. O uma parte é um transistor de potência NPN de base epitaxial de silício na configuração de Darlington monolítico enquanto que uma parte é um transistor PNP complementar. Além disso, o produto é embalado em caixa de metal.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 100 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 100 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 5 | V |
| Corrente de coletor | IC | 16 | A |
| Corrente base | IB | 0.5 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 150 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo. | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICEO | VCE=100V, IB=0 | - | - | 3.0 | mA |
| Corrente de corte do receptor | ICBO | VCB=100V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | - | - | 5.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=30mA, IB=0 | 100 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=3V, IC=3.0A | 1000 | - | 20000 | |
| hFE(2) | VCE=3V, IC=10A | 1000 | - | - | ||
| Tensão de saturação de emissor -coletor | VCE(sat) | IC=10A, IB=40mA | - | - | 2.5 | V |
| IC=16A, IB=80mA | - | - | 4.0 | |||
| Base-emissor em tensão | VBE(on) | VCE=3.0V, IC=10A | - | - | 3.0 | V |
Nomes relacionados
Pares Darlington | Transistor de comutação de potência | Transistor de junção bipolar
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