Transistor de potência NPN de silício A3
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O transistor de potência NPN de silício é um tipo de alta potência, e é embalado em uma caixa de plástico. Ele é usado principalmente em circuitos de comutação de potência de alta velocidade.
Classificação máxima absoluta (TA=25℃)| Parâmetros | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de coletor base | VCBO | 850 | V |
| Tensão de coletor emissor | VCEO | 400 | V |
| Tensão de emissor base | VEBO | 9 | V |
| Corrente coletor | IC | 15 | A |
| Corrente base | IB | 10 | A |
| Dissipação de potência total | Ptot | 175 | W |
| Temperatura de junção de operação máxima | TJ | 150 | ℃ |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Parâmetros | Simbolo | Condições de teste | Min. | Tipo | Max. | Unidade |
| Corrente de corte do coletor | ICBO | VCE=850V, IE=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Corrente de corte do emissor | IEBO | VEB=9V, IC=0 | - | - | 1.0 | mA |
| Tensão de suporte do coletor-emissor | VCEO(sus) | IC=10mA, IB=0 | 400 | - | - | V |
| Ganho de corrente DC | hFE(1) | VCE=2.0V, IC=5.0A | 12 | - | 60 | - |
| hFE(2) | VCE=2.0V, IC=10A | 6 | - | 30 | - | |
| Tensão de saturação do coletor –emissor | VCE(sat) | IC=10A, IB=2.0A | - | - | 1.5 | V |
| IC=15A, IB=3.0A | - | - | 5.0 | |||
| Emissor base em tensão | VBE(on) | IC=10A, IB=2.0A | - | - | 1.6 | V |
| Produto com largura da banda de corrente ganho | fT | VCE=10V, IC=0.5A, f=1MHz | 6.0 | － | 35 | MHz |
| Tempo para desligar | tS | IB1=-IB2=2.0A, Tp=25μs | － | － | 4.0 | μs |
Nomes relacionados
Amplificador de potência | Dispositivo de potência elevada | Transistor de pequenos sinais.
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