DRAM (Memória dinâmica de acesso aleatório)
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DDR3 SDRAM, 128X16, 2GB, DDR3-1333, SO-DIMM
Dados técnicos
| Tipo | DDR3-1333 |
| Tempo de RAM | DDR3-1333 CL=11, trcd=11,trp=11 |
| Capacidade de armazenamento | 2GB |
| Tipo de chip | Samsung |
| Estrutura do chip | 128Mx16 |
| Número de chips | 16 |
| SPD | Disponível |
| ECC | N/A |
| BUFFER | N/A |
| Temperatura de operação | 0ºC~ 55ºC |
| Umidade operacional | Umidade relativa: 10%-90% |
| Temperatura de armazenamento | -50ºC~ 100ºC |
| Umidade de armazenamento | Umidade relativa: 5%-95% |
| Pressão operacional | 69—105KPa |
| Conformidade do SPD com o JEDEC "Anexo K: Detecção de Presença em Série (SPD) para Módulos DDR3 SDRAMDDR3 SPD SODIMM Revisão 1.1". | |
DDR3 SDRAM, 256X16, 4GB, DDR3-1600, SO-DIMM
Dados técnicos
| Tipo | DDR3-1600 |
| Tempo de RAM | DDR3-1600 CL=11, trcd=11,trp=11 |
| Capacidade de armazenamento | 4GB |
| Tipo de chip | Samsung |
| Estrutura do chip | 256Mx16 |
| Número de chips | 16 |
| SPD | Disponível |
| ECC | N/A |
| BUFFER | N/A |
| Temperatura de operação | 0ºC~ 55ºC |
| Umidade operacional | Umidade relativa: 10%-90% |
| Temperatura de armazenamento | -50ºC~ 100ºC |
| Umidade de armazenamento | Umidade relativa: 5%-95% |
| Pressão operacional | 69—105KPa |
| Conformidade do SPD com o JEDEC "Anexo K: Detecção de Presença em Série (SPD) para Módulos DDR3 SDRAMDDR3 SPD SODIMM Revisão 1.1". | |
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