Diac bidirecional de silício
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O diac bidirecional de silício é certificado pela RoHS, e a sua gama de tensão é de 28-36V.
Parâmetros técnicos| Item | Simbolo | Valor | Unidade |
| Tensão de ruptura | VBO | 28-36 | V |
| Simetria de tensão de ruptura | |﹢VBO|﹣|-VBO| | 3 | V |
| Tensão de ruptura dinámica | |±ΔV| | 5 | V |
| Tensão de saída | VO | 5.0 | V |
| Corrente de ruptura | IBO | 100 | μA |
| Corrente de fuga | IB | 10 | μA |
| Tempo de subida | tr | 1.5 | μS |
Nomes relacionados
Diodo de alta tensão | Diodo bidirecional| Diodo amortecedor
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