Diodo Schottky 10A-1
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O diodo Schottky é um produto otimizado com baixo vazamento reverso a uma temperatura elevada. Devido a tecnologia de barreira patenteada, este produto é capaz de funcionar normalmente sob alta temperatura de junção que pode chegar a 110°C, e encontra uma ampla gama de aplicações, tais como o conversor, comutação de alimentação, diodo de roda livre, proteção da bateria reversa, etc.
Classificação máxima absoluta (TA=25°C)| Parâmetro | Simbolo | Valor | Unidade |
| Pico de tensão reversa repetitiva | VRRM | 100 | V |
| Corrente direta retificada média | IF(AV) | 10 | A |
| Corrente de surto direta do pico 8.3ms meia onda senoidal simples sobreposta na carga nominal (método JEDEC) | IFSM | 120 | A |
| Temperatura máxima de junção em operação | TJ | 110 | ℃ |
| Gama de temperatura de armazenamento | TSTG | -45 a150 | ℃ |
| Parâmetros | Símbolo | Condições de teste | Min. | Típico | Max. | Unidade |
| Pico de tensão reversa repetitiva Pico de tensão inversa de trabalho tensão de bloqueio DC | VRRM VRWM VR | - | - | 100 | - | V |
| Corrente de saída retificada média | IO | @ TC=105℃ | - | 10 | - | V |
| Corrente de surto direta de pico não repetitiva 8.3ms meia onda senoidal simples sobreposta na carga nominal (método JEDEC) | IFSM | - | - | 120 | - | A |
| Queda de tensão direta | VF | @ IF=5.0A, TC=105℃ @ IF=5.0A, TC=25℃ | - | 0.75 0.85 | - | V |
| Pico de corrente reversa em classificação de VR | IR | @ TC=25℃ @ TC=125℃ | - | 0.1 5.0 | - | mA |
| Capacidade de junção típica | CJ | - | - | 150 | - | pF |
Nomes relacionados
Diodo transportador de calor | Diodo de barreira Schottky | Diodo de baixa queda
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